买卖IC网 >> 产品目录 >> NE856M03-T1 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

NE856M03-T1

库存数量：可订货
制造商：CEL
描述：射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 射频双极小信号晶体管
描述 射频双极小信号晶体管 NPN Lo-Noise Hi-Gain
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制造商 CEL
配置 Single
晶体管极性 NPN
最大工作频率
集电极—发射极最大电压 VCEO
发射极 - 基极电压 VEBO
集电极连续电流 0.1 A
功率耗散 125 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min
最大工作温度
封装 / 箱体 M03
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 NE856M03-T1
NE856M03-T1-A
NE856M13
NE856M13-A
NE856M13-T3
NE856M13-T3-A
供应商
公司名
电话
深圳市德江源电子有限公司 82966416 张先生
万三科技（深圳）有限公司 18818598465 王俊杰
深圳市百润电子有限公司 17876146278 梁
深圳市创芯弘科技有限公司 13410000176 (2014年前十佳IC供应商)
深圳市昌云科技有限公司 19129948048 贺小姐
  • NE856M03-T1 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
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